【媒體界】3月1日消息，三星電子近日宣布推出其最新研發(fā)的HBM3E 12H，該產品以其12層堆疊設計成為三星目前容量最大的HBM(高帶寬存儲器)產品，引起行業(yè)內廣泛關注。

HBM3E 12H具備出色的性能參數(shù)，其全天候最高帶寬高達1280GB/s，產品容量更是達到了驚人的36GB。與三星之前的8層堆疊HBM3 8H相比，新產品在帶寬和容量上實現(xiàn)了超過50%的大幅提升。這一顯著進步使得HBM3E 12H能夠滿足當前人工智能服務供應商對更高容量HBM的迫切需求。

據(jù)媒體界了解，三星電子存儲器產品企劃團隊執(zhí)行副總裁Yongcheol Bae表示：“隨著人工智能的快速發(fā)展，對高容量HBM的需求日益增長。我們的HBM3E 12H正是為滿足這一市場需求而設計，展現(xiàn)了三星在多層堆疊HBM核心技術方面的研發(fā)實力，并鞏固了我們在人工智能時代高容量HBM市場的技術領先地位。”

為了實現(xiàn)12層堆疊同時保持產品高度一致，HBM3E 12H采用了先進的熱壓非導電薄膜(TC NCF)技術。這項技術不僅滿足了當前HBM封裝的要求，還有效緩解了薄片帶來的芯片彎曲問題，為更高的堆疊層數(shù)帶來了更多優(yōu)勢。三星通過持續(xù)降低非導電薄膜(NCF)材料的厚度，并最小化芯片之間的間隙至7微米(μm)，成功消除了層與層之間的空隙，使得HBM3E 12H的垂直密度比HBM3 8H提高了20%以上。

此外，三星的熱壓非導電薄膜(TC NCF)技術還通過優(yōu)化芯片之間的凸塊尺寸，進一步改善了HBM的熱性能。在芯片鍵合過程中，較小凸塊被用于信號傳輸區(qū)域，而較大凸塊則放置在散熱需求較高的區(qū)域，從而提高了產品的良率和可靠性。

隨著人工智能應用的不斷擴展和深化，HBM3E 12H有望成為未來系統(tǒng)的關鍵存儲解決方案。其超高性能和超大容量將幫助客戶更靈活地管理資源、降低數(shù)據(jù)中心的總體擁有成本(TCO)，并顯著提升人工智能訓練和推理服務的效率。據(jù)預測，與HBM3 8H相比，搭載HBM3E 12H的人工智能應用將實現(xiàn)平均訓練速度提升34%，同時推理服務用戶數(shù)量也將增加超過11.5倍。

目前，三星已經(jīng)開始向客戶提供HBM3E 12H樣品進行測試和驗證，并計劃于今年下半年正式進入大規(guī)模量產階段。這一重要進展將進一步鞏固三星在全球存儲器市場的領先地位，并為人工智能等領域的發(fā)展提供強大支持。