內(nèi)存市場正經(jīng)歷一場前所未有的供應(yīng)緊張局面，南亞科技作為全球第四大內(nèi)存芯片供應(yīng)商，近日公開表示，內(nèi)存緊缺狀況預(yù)計將持續(xù)至2028年之后。這一預(yù)測比三星、SK海力士等主要廠商的預(yù)期更為激進(jìn)，甚至有市場分析認(rèn)為，內(nèi)存供應(yīng)緊張可能延續(xù)至2030年。

目前，全球內(nèi)存產(chǎn)能高度集中于三星、SK海力士和美光三大巨頭手中，三者合計占據(jù)90%至95%的市場份額。南亞科技雖位列第四，但其產(chǎn)品主要集中在相對低端的DDR3和DDR4領(lǐng)域，目前正逐步向DDR5轉(zhuǎn)型。盡管規(guī)模不及前三者，但南亞科技在內(nèi)存市場中的動態(tài)仍備受關(guān)注。

南亞科技總經(jīng)理李培瑛在分析市場前景時指出，今年至明年上半年，全球內(nèi)存新增產(chǎn)能有限，供應(yīng)緊張局面難以緩解。即便部分廠商計劃擴(kuò)大生產(chǎn)，但產(chǎn)能釋放需要時間，短期內(nèi)無法顯著改善市場供需關(guān)系。他特別提到，高帶寬內(nèi)存（HBM）的崛起正在重塑內(nèi)存市場結(jié)構(gòu)，成為加劇供應(yīng)緊張的關(guān)鍵因素。

HBM因其高性能特點，在人工智能、數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域需求激增。然而，生產(chǎn)相同容量的HBM所需產(chǎn)能是常規(guī)內(nèi)存的2至2.5倍。這意味著，即使HBM僅占內(nèi)存總需求的10%，也可能消耗高達(dá)25%的市場產(chǎn)能。當(dāng)前，HBM的供應(yīng)緊張程度甚至超過傳統(tǒng)DDR內(nèi)存，三星、SK海力士和美光等廠商正加速生產(chǎn)16層堆棧的HBM4內(nèi)存，以應(yīng)對市場需求。

內(nèi)存市場的持續(xù)緊張已對多個行業(yè)產(chǎn)生影響，從智能手機(jī)到服務(wù)器，各類電子產(chǎn)品的生產(chǎn)成本均面臨上行壓力。南亞科技的預(yù)測為市場敲響了警鐘，未來幾年，內(nèi)存供應(yīng)或?qū)⒊蔀橹萍s科技行業(yè)發(fā)展的關(guān)鍵因素之一。