杭州鎵仁半導體有限公司近日宣布，其自主研發的全球首條6/8英寸氧化鎵同質外延量產線已正式投入運營，并開始向頭部芯片企業批量供貨。這一突破標志著我國在超寬禁帶半導體材料領域實現了從實驗室到產業化的關鍵跨越，為下一代功率電子器件的國產化替代奠定了基礎。

在晶體生長環節，該公司獨創的鑄造法技術突破了傳統工藝的局限，成功培育出厚度達國際領先水平的氧化鎵單晶。通過配套開發的超薄襯底加工工藝，單片襯底出片量較傳統方法提升3至4倍，同時將貴金屬銥的消耗量降低80%以上，使襯底成本下降超八成。這項技術革新不僅解決了材料成本高企的難題，更為下游器件制造商提供了更具競爭力的解決方案。

外延工藝方面，技術團隊針對氧化鎵（100）晶面的特性，優化了金屬有機化學氣相沉積（MOCVD）的關鍵參數，開發出特色外延生長方案。目前量產的6英寸外延片厚度超過10微米，膜厚均勻性控制在1%以內，各項指標均達到國際商用標準。作為全球首個實現6英寸氧化鎵同質外延商業化的企業，鎵仁半導體已建立起從單晶生長到外延片制造的完整技術體系。

此前，氧化鎵材料產業面臨尺寸受限、產能不足、均勻性差等瓶頸，難以滿足電力電子、新能源汽車等領域對高性能器件的需求。鎵仁半導體通過構建"單晶-襯底-外延"全流程穩定生產能力，成功打破技術壁壘。其8英寸氧化鎵單晶及外延片的國際首發，更將我國在該領域的技術水平推向全球前列。目前，海外多家知名企業及科研機構已與該公司建立長期合作關系，批量采購訂單持續增加。

公開資料顯示，這家成立于杭州的科技企業專注于超寬禁帶半導體材料的研發與產業化，已形成覆蓋2-8英寸氧化鎵單晶、襯底、外延片及專用長晶設備的完整產品線。其自主研發的垂直布里奇曼法（VB法）長晶設備，為氧化鎵材料規模化生產提供了關鍵裝備支撐，構建起從設備到應用的全鏈條創新生態。