在無(wú)錫舉辦的“未來(lái)半導(dǎo)體生態(tài)大會(huì)·半導(dǎo)體封裝測(cè)試暨玻璃基板生態(tài)展”上，先進(jìn)封裝技術(shù)成為焦點(diǎn)話題。業(yè)內(nèi)專家指出，隨著人工智能算力需求爆發(fā)式增長(zhǎng)，2.5D/3D封裝技術(shù)正引領(lǐng)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)進(jìn)入全新發(fā)展階段。市場(chǎng)調(diào)研機(jī)構(gòu)Yole預(yù)測(cè)，全球先進(jìn)封裝市場(chǎng)規(guī)模將從2025年的540億美元激增至2031年的1090億美元，其中2.5D/3D封裝將占據(jù)主要增量，這得益于AI產(chǎn)業(yè)對(duì)高性能計(jì)算芯片的強(qiáng)勁需求。

華為提出的“韜定律”與當(dāng)前技術(shù)趨勢(shì)形成高度契合。該定律主張通過(guò)“異構(gòu)集成+系統(tǒng)優(yōu)化”提升整體算力，在單位功耗和時(shí)間內(nèi)實(shí)現(xiàn)更高計(jì)算效率，為破解算力能效失衡難題提供新思路。宏茂微首席科學(xué)家郭一凡解釋，隨著晶體管結(jié)構(gòu)進(jìn)入3D演進(jìn)階段，行業(yè)技術(shù)路徑已從單一封裝轉(zhuǎn)向全方位系統(tǒng)集成，先進(jìn)封裝技術(shù)成為突破存儲(chǔ)容量和數(shù)據(jù)傳輸帶寬瓶頸的關(guān)鍵。

臺(tái)積電的CoWoS封裝和2.5D/3D封裝技術(shù)被視為工程化典范。中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)副秘書長(zhǎng)徐冬梅透露，經(jīng)過(guò)二十余年發(fā)展，國(guó)內(nèi)封測(cè)產(chǎn)業(yè)已實(shí)現(xiàn)從“跟跑”到“并跑”的跨越，長(zhǎng)電科技、通富微電、華天科技等企業(yè)穩(wěn)居全球前十，2.5D/3D、Chiplet等技術(shù)正從實(shí)驗(yàn)室走向大規(guī)模量產(chǎn)。郭一凡認(rèn)為，未來(lái)先進(jìn)封裝將呈現(xiàn)三大方向：CoWoS技術(shù)通過(guò)3D堆疊和TSV硅通孔工藝構(gòu)建3D SoC芯片；面板級(jí)封裝利用方形基板設(shè)計(jì)提升晶圓利用率；玻璃基板封裝憑借成本和功耗優(yōu)勢(shì)推動(dòng)端側(cè)AI應(yīng)用升級(jí)。

玻璃基板封裝技術(shù)引發(fā)市場(chǎng)高度關(guān)注。沃格光電創(chuàng)始人易偉華指出，玻璃線路板因其優(yōu)異性能，成為支撐AI算力升級(jí)和高端芯片封裝的核心材料，特別適用于CPU、光電共封裝（CPO）、射頻天線等領(lǐng)域。云天半導(dǎo)體董事長(zhǎng)于大全透露，國(guó)內(nèi)玻璃基板產(chǎn)業(yè)中游進(jìn)展順利，但高端裝備供應(yīng)不足仍是主要瓶頸，電鍍機(jī)、PVD設(shè)備等關(guān)鍵裝備的國(guó)產(chǎn)化突破迫在眉睫。他預(yù)計(jì)玻璃基板封裝將于2028年實(shí)現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)。

隨著3D堆疊和Chiplet尺寸增大，散熱技術(shù)成為提升AI芯片算力的關(guān)鍵。中微高科總經(jīng)理助理李軼楠介紹，行業(yè)主流散熱方案包括背側(cè)TGV陣列導(dǎo)熱、嵌入式微流道散熱、金剛石/石墨烯導(dǎo)熱層鋪設(shè)等技術(shù)。硅芯科技創(chuàng)始人趙毅則強(qiáng)調(diào)，在韜定律框架下，封裝技術(shù)正從芯片設(shè)計(jì)末端轉(zhuǎn)向頂層規(guī)劃，推動(dòng)EDA工具向多芯粒、多介質(zhì)、跨工藝協(xié)同方向演進(jìn)。該公司在此次大會(huì)上發(fā)布了新一代2.5D/3D AI智能EDA Agent，瞄準(zhǔn)HPC、光電共封裝等新興市場(chǎng)。

AI數(shù)據(jù)中心對(duì)電力的需求較傳統(tǒng)數(shù)據(jù)中心提升1-2個(gè)數(shù)量級(jí)，對(duì)功率半導(dǎo)體提出更高要求。中車時(shí)代電氣首席技術(shù)專家劉國(guó)友提出，功率半導(dǎo)體是連接物理能源與智能計(jì)算的核心節(jié)點(diǎn)。他預(yù)測(cè)，未來(lái)3-5年碳化硅模塊量產(chǎn)、氮化鎵集成技術(shù)、單芯片及3D異構(gòu)集成模塊將成為功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的關(guān)鍵突破方向。