【媒體界】9月28日消息，美光科技宣布推出全新HBM3E內存，將進一步加劇與SK海力士的競爭。這款高帶寬內存具備令人印象深刻的性能和創新特性，已向英偉達等客戶提供樣品，預計明年將開始商業出貨。
HBM3E內存是一種垂直堆疊多層DRAM的技術，可顯著提高數據處理速度。美光的HBM3E內存以其卓越的1.2 TB/s的速度而自豪，并采用了eight-tier的布局，每層內存容量達到24 GB。與此同時，該內存還引入了1β技術，這一先進的制造技術有望提高內存的性能和效率。
據了解，美光表示，除了性能卓越之外，他們的HBM3E內存在成本方面也具備競爭優勢，將幫助降低系統制造商的生產成本。目前，美光正在積極尋求產品認證，以滿足英偉達等客戶的需求。
HBM技術在高性能計算、人工智能和游戲圖形等領域有廣泛應用，因此美光科技進入HBM3E內存市場將進一步激發市場競爭，推動技術創新，提高產品質量。這一舉措將為消費者帶來更多的選擇，并有望推動整個行業朝著更高性能和更低成本的方向邁進。
