全球存儲(chǔ)芯片領(lǐng)域迎來(lái)重大突破——三星電子近日宣布，其研發(fā)的HBM4高帶寬存儲(chǔ)芯片已通過(guò)NVIDIA全流程認(rèn)證，并將于農(nóng)歷新年假期后（2月下旬）啟動(dòng)批量交付。這一里程碑事件標(biāo)志著全球首款第四代高帶寬存儲(chǔ)芯片正式進(jìn)入大規(guī)模量產(chǎn)階段，為下一代人工智能計(jì)算平臺(tái)提供關(guān)鍵硬件支撐。

據(jù)供應(yīng)鏈消息透露，三星此次量產(chǎn)的HBM4芯片采用革命性混合工藝：DRAM單元芯片應(yīng)用第六代10nm級(jí)（1c）技術(shù)，基板芯片則采用4nm代工工藝。這種創(chuàng)新組合使芯片數(shù)據(jù)處理速度達(dá)到11.7Gbps，較JEDEC行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)（8Gbps）提升37%，相比前代HBM3E（9.6Gbps）提高22%。單堆棧存儲(chǔ)帶寬突破3TB/s，是上一代產(chǎn)品的2.4倍，性能指標(biāo)全面領(lǐng)跑行業(yè)。

存儲(chǔ)容量方面，HBM4通過(guò)12層堆疊技術(shù)實(shí)現(xiàn)36GB容量，未來(lái)升級(jí)至16層堆疊后將擴(kuò)展至48GB。這種設(shè)計(jì)特別針對(duì)AI大模型訓(xùn)練、自動(dòng)駕駛等高算力場(chǎng)景，有效解決傳統(tǒng)存儲(chǔ)架構(gòu)的帶寬瓶頸問(wèn)題。NVIDIA計(jì)劃在3月16日至19日舉辦的GTC 2026大會(huì)上，首次公開(kāi)展示搭載該芯片的Vera Rubin人工智能計(jì)算平臺(tái)。

NVIDIA CEO黃仁勛此前在CES 2026展會(huì)上透露，Vera Rubin平臺(tái)已進(jìn)入全面生產(chǎn)階段，預(yù)計(jì)2026年下半年正式商用。三星HBM4的及時(shí)交付為該平臺(tái)落地掃清關(guān)鍵障礙，其超高性能可完美匹配新一代AI加速器對(duì)內(nèi)存帶寬的嚴(yán)苛需求。行業(yè)分析師指出，HBM4的量產(chǎn)將推動(dòng)全球存儲(chǔ)技術(shù)進(jìn)入全新發(fā)展周期。

作為AI計(jì)算的核心組件，HBM芯片通過(guò)垂直堆疊多個(gè)DRAM芯片實(shí)現(xiàn)超高帶寬，已成為GPU、ASIC等加速器的標(biāo)配解決方案。隨著生成式AI、大語(yǔ)言模型等應(yīng)用的爆發(fā)式增長(zhǎng)，全球HBM市場(chǎng)規(guī)模預(yù)計(jì)將在2026年突破300億美元。三星此次技術(shù)突破不僅鞏固了其在存儲(chǔ)領(lǐng)域的領(lǐng)先地位，更為全球AI產(chǎn)業(yè)升級(jí)提供了關(guān)鍵硬件基礎(chǔ)設(shè)施。