集邦咨詢（TrendForce）最新發(fā)布的行業(yè)分析報告顯示，全球存儲市場正經歷新一輪價格調整周期，其中DRAM與NAND Flash兩大核心產品均呈現(xiàn)顯著波動。三星電子近期宣布維持DDR4內存產品的停產（EOL）計劃，這一決策直接導致DDR4現(xiàn)貨市場價格漲幅遠超新一代DDR5產品，預計2026年其價格走勢將持續(xù)上揚。

據(jù)報告分析，三星的停產決定打破了市場對DDR4長期供應的預期，引發(fā)產業(yè)鏈連鎖反應。隨著2026年停產時間節(jié)點臨近，DDR4內存的全球供應量預計將出現(xiàn)斷崖式下降。這種供應端的急劇收縮將人為制造產品稀缺性，可能引發(fā)價格倒掛現(xiàn)象——其單位存儲容量（每Gb）價格或將攀升至歷史高位，甚至超越部分采用先進制程的存儲產品。市場監(jiān)測數(shù)據(jù)顯示，主流型號DDR4 1Gx8 3200MT/s芯片的現(xiàn)貨均價已從12月24日的22.235美元漲至12月30日的23.746美元，周漲幅達6.80%。

NAND Flash市場同樣呈現(xiàn)強勁上漲態(tài)勢。受2026年第一季度合約價格看漲預期推動，本周512Gb TLC晶圓現(xiàn)貨價格大幅攀升13.35%，達到13.055美元?，F(xiàn)貨貿易商普遍對后市持樂觀態(tài)度，在出貨環(huán)節(jié)采取高價策略，進一步推高市場價格。行業(yè)觀察人士指出，NAND Flash與DRAM的價格聯(lián)動效應正在顯現(xiàn)，兩大存儲品類同步進入上行周期，可能對全球電子產業(yè)鏈成本結構產生深遠影響。

市場分析機構認為，三星的產能調整策略具有風向標意義。作為全球存儲芯片龍頭，其DDR4停產計劃不僅直接影響現(xiàn)貨市場供需平衡，更可能迫使下游廠商加速向DDR5遷移。然而，考慮到DDR5目前較高的成本門檻，2026年前DDR4仍將在中低端市場占據(jù)主導地位，其價格走勢將持續(xù)成為行業(yè)關注焦點。與此同時，NAND Flash市場因企業(yè)級SSD需求回暖與智能手機存儲容量升級，預計將維持供不應求態(tài)勢至2026年中。