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華強(qiáng)北DDR4內(nèi)存價(jià)格回調(diào)仍處高位,國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)崛起國(guó)際客戶拋來“橄欖枝”

   時(shí)間:2026-02-15 15:54 來源:互聯(lián)網(wǎng)作者:沈如風(fēng)

春節(jié)前夕,國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)市場(chǎng)正經(jīng)歷一輪價(jià)格波動(dòng)。記者走訪深圳華強(qiáng)北電子市場(chǎng)發(fā)現(xiàn),近期內(nèi)存現(xiàn)貨價(jià)格出現(xiàn)小幅回調(diào),部分DDR4產(chǎn)品較2025年最高點(diǎn)回落10%-20%,但整體仍處于歷史高位。有商戶透露,某型號(hào)DDR4內(nèi)存單價(jià)仍高達(dá)1800元,甚至超過同期黃金價(jià)格,盡管較此前峰值已下跌數(shù)十元。

NAND閃存市場(chǎng)呈現(xiàn)更強(qiáng)漲價(jià)勢(shì)頭。原廠報(bào)價(jià)較年初翻倍,eMMC嵌入式存儲(chǔ)價(jià)格漲幅尤為突出。受此影響,多家電腦廠商已調(diào)整產(chǎn)品定價(jià)策略:中低端筆記本價(jià)格上調(diào)5%-10%,部分游戲本品牌計(jì)劃在節(jié)后實(shí)施最高33%的漲價(jià)幅度,對(duì)應(yīng)千元級(jí)價(jià)格上浮。行業(yè)數(shù)據(jù)顯示,存儲(chǔ)部件成本占整機(jī)比例已突破30%,成為推動(dòng)終端漲價(jià)的核心因素。

市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)CFM統(tǒng)計(jì)表明,2025年全球DRAM/NAND Flash市場(chǎng)規(guī)模首次突破2000億美元,達(dá)2215.91億美元(約合1.53萬億元人民幣),同比增長(zhǎng)32.7%。這一增長(zhǎng)主要受人工智能、數(shù)據(jù)中心等新興領(lǐng)域需求驅(qū)動(dòng),但供給端產(chǎn)能擴(kuò)張明顯滯后。三星、SK海力士、美光等國(guó)際大廠庫(kù)存水平降至近五年低位,正推動(dòng)定價(jià)機(jī)制改革,擬將傳統(tǒng)季度議價(jià)模式改為動(dòng)態(tài)市價(jià)結(jié)算。

產(chǎn)能擴(kuò)張方面,主要原廠保持謹(jǐn)慎態(tài)度。預(yù)計(jì)2026年一季度DRAM芯片出貨量增幅將低于5%,NAND芯片增幅維持在5%-10%。多家企業(yè)表示,新建產(chǎn)線需至2027年下半年才能形成有效供給,短期內(nèi)市場(chǎng)供需緊張格局難以根本扭轉(zhuǎn)。這種預(yù)期進(jìn)一步強(qiáng)化了產(chǎn)業(yè)鏈對(duì)價(jià)格持續(xù)高位運(yùn)行的判斷。

國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)陣營(yíng)則呈現(xiàn)加速崛起態(tài)勢(shì)。長(zhǎng)鑫科技通過持續(xù)擴(kuò)產(chǎn),全球DRAM市場(chǎng)份額已升至3.97%,超越美光成為全球第四大廠商。長(zhǎng)江存儲(chǔ)在NAND領(lǐng)域表現(xiàn)更為亮眼,其全球出貨量占比在2025年首季突破10%,較2024年第三季度提升3個(gè)百分點(diǎn)。據(jù)Omida數(shù)據(jù),兩家企業(yè)合計(jì)占據(jù)中國(guó)存儲(chǔ)市場(chǎng)超過25%份額,形成與國(guó)際大廠三足鼎立的新格局。

產(chǎn)業(yè)鏈上游設(shè)備商率先受益。中微公司披露,其高端刻蝕設(shè)備在先進(jìn)制程中的滲透率顯著提升,帶動(dòng)2025年凈利潤(rùn)同比增長(zhǎng)28.74%-34.93%。長(zhǎng)川科技等測(cè)試設(shè)備廠商也實(shí)現(xiàn)業(yè)績(jī)翻倍增長(zhǎng)。國(guó)際市場(chǎng)方面,《日經(jīng)亞洲》報(bào)道稱,惠普、戴爾等品牌已將中國(guó)大陸存儲(chǔ)芯片納入供應(yīng)商體系,這是國(guó)際終端廠商首次大規(guī)模采用國(guó)產(chǎn)內(nèi)存產(chǎn)品。

分析人士指出,國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)的突破不僅改變?nèi)虍a(chǎn)業(yè)格局,更重塑了中國(guó)電子產(chǎn)業(yè)的供應(yīng)鏈安全。隨著長(zhǎng)江存儲(chǔ)128層3D NAND、長(zhǎng)鑫科技LPDDR5等高端產(chǎn)品量產(chǎn),國(guó)內(nèi)廠商在技術(shù)代差上已縮短至1-2年,為后續(xù)市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)奠定基礎(chǔ)。不過,要實(shí)現(xiàn)真正意義上的國(guó)產(chǎn)替代,仍需在產(chǎn)能規(guī)模、良品率等關(guān)鍵指標(biāo)上持續(xù)突破。

 
 
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