英特爾代工近日宣布，其與荷蘭光刻機巨頭ASML攜手完成了一項重要技術(shù)突破——首臺“二代”High NA EUV光刻機TWINSCAN EXE:5200B的驗收測試工作順利完成。這一成果標(biāo)志著半導(dǎo)體制造設(shè)備向更高精度、更高效率的方向邁出了關(guān)鍵一步。

與主要用于前期工藝研發(fā)的“一代”機型EXE:5000相比，EXE:5200B在量產(chǎn)適配性上實現(xiàn)了顯著提升。該設(shè)備搭載了功率更高的EUV光源，使得單位時間內(nèi)輸出的光能量大幅增加，直接推動晶圓處理能力提升至每小時175片。同時，其套刻精度優(yōu)化至0.7納米，為制造更復(fù)雜的芯片結(jié)構(gòu)提供了技術(shù)保障。通過引入新型晶圓存儲架構(gòu)，設(shè)備在長時間運行中的穩(wěn)定性得到增強，有助于減少生產(chǎn)過程中的波動。

在另一項技術(shù)進展中，英特爾代工與比利時微電子研究中心imec在2025 IEEE國際電子器件會議（IEDM）上聯(lián)合展示了2DFET材料的關(guān)鍵工藝突破。雙方合作完成了對氧化物帽層的選擇性凹陷刻蝕技術(shù)驗證，并在12英寸試產(chǎn)線上成功制造出具備大馬士革型頂接觸結(jié)構(gòu)的晶體管。這一成果為未來先進制程的晶體管設(shè)計提供了新的工藝路徑。