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IBM攜手泛林聚焦亞1nm制程開發(fā) 共探High NA EUV等關(guān)鍵技術(shù)新突破

   時間:2026-03-11 09:51 來源:快訊作者:馮璃月

近日,科技領(lǐng)域迎來一則重磅合作消息,IBM與半導(dǎo)體設(shè)備制造商泛林(Lam Research)就亞1nm尖端邏輯制程的開發(fā)達(dá)成了為期5年的合作協(xié)議。此次合作將聚焦于新材料、先進(jìn)蝕刻/沉積工藝以及High NA EUV光刻的聯(lián)合開發(fā),有望為半導(dǎo)體行業(yè)帶來新的突破。

在合作中,雙方將充分發(fā)揮各自優(yōu)勢。IBM奧爾巴尼園區(qū)具備先進(jìn)的研究能力,而泛林擁有端到端的工藝工具和創(chuàng)新技術(shù)。兩家企業(yè)將攜手構(gòu)建并驗(yàn)證納米片和納米堆疊器件以及背面供電的完整工藝流程。這一系列能力的打造,旨在將High NA EUV圖案可靠地轉(zhuǎn)移到實(shí)際器件層中,實(shí)現(xiàn)高良率,為未來邏輯器件的可行量產(chǎn)路徑提供支持,同時推動持續(xù)的微縮化和性能提升。

IBM半導(dǎo)體總經(jīng)理Mukesh Khare對這次合作充滿期待。他表示,十多年來,泛林一直是IBM的重要合作伙伴,在邏輯微縮和器件架構(gòu)方面取得了諸多關(guān)鍵突破。例如,納米片技術(shù)以及IBM于2021年發(fā)布的全球首款2nm節(jié)點(diǎn)芯片,都離不開泛林的貢獻(xiàn)。如今,雙方擴(kuò)大合作,共同應(yīng)對下一階段的挑戰(zhàn),以實(shí)現(xiàn)高數(shù)值孔徑極紫外光刻技術(shù)和1nm以下節(jié)點(diǎn)工藝,這無疑將推動半導(dǎo)體技術(shù)邁向新的高度。

泛林首席技術(shù)與可持續(xù)發(fā)展官Vahid Vahedi也發(fā)表了看法。他認(rèn)為,隨著行業(yè)進(jìn)入3D微縮的新時代,進(jìn)步的關(guān)鍵在于重新思考如何將材料、工藝和光刻技術(shù)整合為一個單一的高密度系統(tǒng)。泛林很榮幸能夠與IBM在成功合作的基礎(chǔ)上,進(jìn)一步推動High NA EUV干式光刻膠和工藝的突破,加速開發(fā)低功耗、高性能晶體管,這對于當(dāng)下蓬勃發(fā)展的AI時代至關(guān)重要。

 
 
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