存儲(chǔ)器市場(chǎng)正經(jīng)歷新一輪價(jià)格波動(dòng)，NOR Flash與SLC NAND兩類產(chǎn)品因供需失衡成為焦點(diǎn)。根據(jù)行業(yè)研究機(jī)構(gòu)最新數(shù)據(jù)，受高附加值產(chǎn)品產(chǎn)能傾斜影響，成熟制程存儲(chǔ)芯片供應(yīng)持續(xù)收緊，推動(dòng)這兩類產(chǎn)品在2026年上半年的合約價(jià)累計(jì)漲幅雙雙突破100%，且下半年價(jià)格仍有進(jìn)一步上調(diào)空間。

作為非易失性存儲(chǔ)芯片的代表，NOR Flash與SLC NAND在特定領(lǐng)域具有不可替代性。NOR Flash憑借快速程序執(zhí)行能力，廣泛應(yīng)用于車載系統(tǒng)、工業(yè)控制設(shè)備及邊緣AI場(chǎng)景，主要承擔(dān)存儲(chǔ)啟動(dòng)程序的功能；SLC NAND則因高可靠性和低錯(cuò)誤率，成為工業(yè)設(shè)備、服務(wù)器系統(tǒng)盤及醫(yī)療軍工領(lǐng)域的主流選擇。兩類產(chǎn)品雖技術(shù)路徑不同，但均依賴成熟制程工藝生產(chǎn)。

當(dāng)前價(jià)格異動(dòng)源于產(chǎn)業(yè)鏈結(jié)構(gòu)性調(diào)整。頭部存儲(chǔ)廠商為滿足AI服務(wù)器對(duì)HBM芯片及高層數(shù)3D NAND的需求，持續(xù)壓縮NOR Flash與SLC NAND的產(chǎn)能配額。與此同時(shí)，終端市場(chǎng)需求呈現(xiàn)分化態(tài)勢(shì)：AI應(yīng)用爆發(fā)式增長(zhǎng)消耗大量高端存儲(chǔ)資源，而車規(guī)級(jí)與工控領(lǐng)域因建立安全庫(kù)存策略，進(jìn)一步加劇了中低端產(chǎn)品的供應(yīng)緊張。據(jù)測(cè)算，2026年上半年NOR Flash合約價(jià)平均漲幅將達(dá)100-120%，其中高容量產(chǎn)品因車用電子與邊緣AI需求支撐，漲幅可能突破150%；SLC NAND價(jià)格同期漲幅預(yù)計(jì)達(dá)130-150%，工業(yè)級(jí)與車規(guī)級(jí)產(chǎn)品表現(xiàn)尤為突出。

多家上市公司近期披露的經(jīng)營(yíng)數(shù)據(jù)印證了這一趨勢(shì)。東芯股份在機(jī)構(gòu)調(diào)研中透露，自2025年下半年起，中小容量SLC NAND及DRAM產(chǎn)品價(jià)格呈現(xiàn)穩(wěn)步上行態(tài)勢(shì)，主要受大容量產(chǎn)品結(jié)構(gòu)性短缺傳導(dǎo)影響。兆易創(chuàng)新則表示，NOR Flash在服務(wù)器與汽車領(lǐng)域需求拉動(dòng)下，疊加價(jià)格溫和上漲，一季度收入實(shí)現(xiàn)環(huán)比增長(zhǎng)；其SLC NAND產(chǎn)品線因海外大廠退出2D NAND市場(chǎng)，面臨顯著供應(yīng)缺口。普冉股份亦指出，全球存儲(chǔ)代工產(chǎn)能呈現(xiàn)結(jié)構(gòu)性緊張，公司NOR Flash及2D NAND產(chǎn)品交付周期延長(zhǎng)。

行業(yè)分析師認(rèn)為，本輪價(jià)格波動(dòng)本質(zhì)是AI革命引發(fā)的產(chǎn)業(yè)鏈重構(gòu)。隨著大廠逐步退出利基型存儲(chǔ)市場(chǎng)，競(jìng)爭(zhēng)格局持續(xù)優(yōu)化，具備技術(shù)優(yōu)勢(shì)的廠商將獲得更大定價(jià)權(quán)。值得關(guān)注的是，盡管SLC NAND多數(shù)應(yīng)用場(chǎng)景需求未顯著增長(zhǎng)，但供應(yīng)端持續(xù)收縮可能引發(fā)跨領(lǐng)域替代效應(yīng)，工業(yè)與車規(guī)級(jí)產(chǎn)品的價(jià)格韌性或?qū)⒊鍪袌?chǎng)預(yù)期。