當(dāng)?shù)貢r間6月3日，納微半導(dǎo)體宣布與英偉達MGX生態(tài)系統(tǒng)達成合作，共同推動800伏直流人工智能基礎(chǔ)設(shè)施的建設(shè)。這一消息引發(fā)市場關(guān)注，美股當(dāng)日收盤時，納微半導(dǎo)體股價上漲19.26%，創(chuàng)下上市以來的新高。過去一年，該公司股價累計漲幅超過三倍，目前總市值達到72.08億美元。

MGX是英偉達為新一代AI工廠設(shè)計的標(biāo)準(zhǔn)化模塊化整機架參考架構(gòu)與開放產(chǎn)業(yè)生態(tài)。作為推進800伏直流數(shù)據(jù)中心落地的底層硬件標(biāo)準(zhǔn)，MGX覆蓋了算力、供電、散熱和網(wǎng)絡(luò)全鏈條，為納微半導(dǎo)體進入英偉達AI供應(yīng)鏈提供了核心載體。雙方的合作范圍包括從Rubin Ultra平臺到“Kyber”機架級系統(tǒng)的完整供電方案。

在5月29日的COMPUTEX 2026展會上，納微半導(dǎo)體展示了其800伏至6伏直流-直流電源分配板（PDB），這是雙方合作的具體成果。該產(chǎn)品專為英偉達新一代AI數(shù)據(jù)中心的800伏直流機架架構(gòu)設(shè)計，旨在提升系統(tǒng)效率和功率密度。其最大亮點在于省去了傳統(tǒng)的48伏中間總線轉(zhuǎn)換模塊，通過16顆自研的GaNFast氮化鎵芯片實現(xiàn)800伏直降至6伏，峰值供電效率達到97.5%，功率密度高達2100瓦/立方英寸。該電源分配板的厚度比智能手機薄兩成，可以近距離貼合GPU布設(shè)，大幅減少布線損耗和機房空間占用。

這一產(chǎn)品對AI電力系統(tǒng)的支撐作用顯著。800伏直流架構(gòu)能夠降低線纜銅耗和機房配電成本，而納微半導(dǎo)體的氮化鎵和碳化硅方案則是整套高壓配電落地的硬件基礎(chǔ)。該方案解決了巨型AI工廠多GPU集群瞬時功耗波動大、供電損耗偏高等行業(yè)痛點，幫助數(shù)據(jù)中心壓縮配電綜合能耗，滿足吉瓦級AI算力園區(qū)規(guī)模化落地的需求。

納微半導(dǎo)體首席執(zhí)行官Chris Allexandre指出，隨著AI工作負載的持續(xù)擴展，電力傳輸已成為構(gòu)建下一代吉瓦級AI工廠最關(guān)鍵的挑戰(zhàn)之一。納微半導(dǎo)體專注于氮化鎵和碳化硅第三代功率半導(dǎo)體，產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于AI電源領(lǐng)域，能夠提供從電網(wǎng)接入到芯片的完整供電方案，是AI浪潮中“電力革命”細分賽道的代表性企業(yè)。

AI工作負載對電力的需求是傳統(tǒng)計算的100至1000倍，這對供電架構(gòu)提出了前所未有的挑戰(zhàn)。在此背景下，納微半導(dǎo)體正從傳統(tǒng)的消費電子與移動市場轉(zhuǎn)向高增長、高利潤的高功率應(yīng)用領(lǐng)域，包括AI數(shù)據(jù)中心、能源與電網(wǎng)基礎(chǔ)設(shè)施等。其GaNFast氮化鎵技術(shù)實現(xiàn)了800伏直接降壓至6伏，消除了中間48伏總線轉(zhuǎn)換器環(huán)節(jié)，目標(biāo)峰值效率達97.5%，功率密度高達2100瓦/立方英寸。在碳化硅方向，該公司的GeneSiC解決方案支持從電網(wǎng)到AI計算機架的高效電力傳輸，涵蓋采用2300伏和3300伏碳化硅功率模塊的固態(tài)變壓器，以及基于第五代技術(shù)1200伏碳化硅MOSFET的高功率三相電源供應(yīng)單元。