摩根大通最新研究報告顯示，全球存儲芯片行業正經歷根本性變革，AI算力需求從GPU向CPU的擴散成為核心驅動力，推動存儲市場從傳統周期性商品向AI基礎設施戰略資產轉型。該機構大幅上調2026至2028年全球存儲市場規模預測，預計2028年總規模將達1.7萬億美元，較3月模型上調37%至53%。其中DRAM市場收入預計從2025年的1430億美元躍升至2026年的6360億美元，2028年進一步增至1.237萬億美元；NAND市場收入同期預計從710億美元增至4545億美元。

報告指出，CPU在AI計算體系中的角色升級是存儲需求擴張的關鍵變量。作為AGI系統任務編排、狀態管理及API執行的核心控制層，CPU需求呈現爆發式增長。NVDA預計2026年獨立Vera CPU銷售額達200億美元；AMD將服務器CPU市場規模增速預測從18%上調至35%以上，并預計2030年規模達1200億美元；INTC則透露CPU與GPU配比將從1:8收窄至1:4，最終趨向平衡。這一趨勢直接拉動服務器內存需求，摩根大通將2026至2028年服務器內存需求預測上調5%至22%，其中AI服務器貢獻超60%的增量需求。預計2027至2028年AI服務器內存（不含HBM）將占DRAM總需求的30%以上，遠高于此前14%的預測。

高帶寬內存（HBM）市場供需矛盾持續加劇。摩根大通將2026至2028年HBM市場規模預測上調17%至21%，預計供需缺口將貫穿整個2028年，缺口比例維持兩位數。需求端，NVDA Blackwell GPU出貨量上調至2026/2027年的890萬/990萬顆，谷歌TPU單元假設上調至450萬/800萬顆，亞馬遜Trainium出貨量亦顯著增加。定價方面，2027年混合HBM均價預計同比上漲32%，創歷史新高，其中HBM4E因供應鏈緊張，定價較HBM3E溢價高達61%。產能分配上，HBM占DRAM晶圓產能的比例將從2026年的24%提升至2028年的31%，進一步擠壓傳統DRAM供應。

存儲芯片的戰略地位在云服務商（CSP）資本開支中愈發凸顯。數據顯示，存儲在CSP硬件資本開支中的占比已從AI浪潮初期的十幾個百分點攀升至今年的50%以上，2030年有望達到73%。摩根大通預計，存儲行業營業利潤率將在2026至2028年穩定在75%至77%的歷史高位，遠超2025年的30%。盡管如此，存儲股仍以折價于盈利的估值水平交易，主要因投資者對存儲價值份額能否持續提升存疑。報告認為，隨著CSP資本開支增加及NVDA對2030年3至4萬億美元支出前景的佐證，市場對存儲盈利可持續性的擔憂將逐步緩解，傳統周期性估值框架已不再適用，新的估值方法亟待建立。

NAND市場中，企業級固態硬盤（eSSD）成為擴張核心。摩根大通預計2026年eSSD市場規模將超過500EB，占NAND總需求的43%，未來兩年復合年增長率達52%，至2028年規模逾1100EB。考慮ASP溢價，eSSD價值市場未來兩年有望超過3000億美元，規模超過HBM市場。供給端，NAND資本開支仍低于歷史峰值，SLC需求增加支撐供需平衡。預計三年累計資本開支為860億美元，主要用于技術遷移，新建產能影響最早于2028年下半年顯現。相較DRAM，NAND在頭部廠商中的資本開支優先級較低，但2029年新建產能項目已現早期跡象。

面對長期供需短缺前景，存儲廠商正加速資本開支擴張。摩根大通預計未來三年全球存儲資本開支合計約4500億美元，較2025年12月模型上調50%。其中DRAM三年累計資本開支約3640億美元，60%增量產能分配給HBM；NAND三年累計資本開支約860億美元。EUV設備采購及基礎設施建設成為當前主要瓶頸。中國廠商方面，DRAM市場份額預計從2025年的6%提升至2028年的8%至11%，NAND市場份額從12%提升至12%至16%，產能擴張速度高于行業平均水平。但受制于產品結構偏低端，價值份額增長空間有限，預計2028年DRAM及NAND價值份額分別約為10%和12%。