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長鑫科技招股書透露國產(chǎn)存儲新動向 半導(dǎo)體設(shè)備ETF或迎投資新機遇

   發(fā)布時間:2026-05-20 18:27 作者:趙磊

近日,長鑫科技向科創(chuàng)板遞交的招股說明書(申報稿)引發(fā)市場關(guān)注。這份文件不僅展示了公司自身的經(jīng)營狀況,更透露出半導(dǎo)體行業(yè)的重要動向。數(shù)據(jù)顯示,其12英寸晶圓制造生產(chǎn)線的產(chǎn)能利用率持續(xù)攀升,預(yù)計到2025年將達到95.73%的高位。與此同時,公司在2023年至2025年間的資本性支出分別達到437億元、712億元和497億元,顯示出持續(xù)擴張的決心。更引人注目的是,公司明確表示將推進工藝升級和產(chǎn)線技術(shù)改造,這表明國產(chǎn)存儲龍頭正進入高利用率、擴產(chǎn)和技術(shù)升級的關(guān)鍵階段。

半導(dǎo)體設(shè)備作為產(chǎn)業(yè)鏈中的關(guān)鍵環(huán)節(jié),被稱為芯片產(chǎn)業(yè)的"賣鏟人"。業(yè)內(nèi)人士指出,無論下游生產(chǎn)的是DRAM、NAND還是先進邏輯芯片,只要涉及建廠、擴產(chǎn)或提升良率,設(shè)備采購總是最先啟動的環(huán)節(jié)。長鑫科技的招股書顯示,公司在合肥和北京兩地擁有3座12英寸DRAM晶圓廠,目前正在研發(fā)第五代工藝技術(shù)平臺。此次擬募集的295億元資金,將主要用于存儲器晶圓制造量產(chǎn)線技術(shù)升級改造和DRAM存儲器技術(shù)升級等項目,其中刻蝕、薄膜沉積、清洗等核心工藝設(shè)備的采購是重點。

從技術(shù)路線來看,制程迭代正在推動設(shè)備價值量的結(jié)構(gòu)性提升。長鑫科技已完成從第一代到第四代工藝技術(shù)平臺的量產(chǎn),第五代平臺的研發(fā)正在進行中。東吳證券的研究報告指出,AI驅(qū)動的先進邏輯與存儲擴產(chǎn),使資本開支進入新一輪上行周期。在前道設(shè)備中,刻蝕與薄膜沉積的價值占比位居前三,且隨著制程演進呈現(xiàn)上升趨勢。長鑫科技在招股書中特別強調(diào),募投項目將同步實施本土及新型設(shè)備、材料、零部件的導(dǎo)入驗證,這有望直接帶動相關(guān)設(shè)備環(huán)節(jié)的需求釋放。

對于投資者而言,半導(dǎo)體設(shè)備領(lǐng)域涉及眾多企業(yè),不同公司在產(chǎn)品環(huán)節(jié)、客戶驗證和訂單節(jié)奏上存在較大差異,研究門檻較高。指數(shù)化工具為投資者提供了便捷的選擇。半導(dǎo)體設(shè)備ETF廣發(fā)(560780)跟蹤中證半導(dǎo)體材料設(shè)備主題指數(shù)(931743.CSI),其前十大成分股包括中微公司、北方華創(chuàng)、拓荊科技等設(shè)備龍頭,以及滬硅產(chǎn)業(yè)、南大光電等材料和電子化學(xué)品公司。據(jù)Wind數(shù)據(jù),截至5月18日,該指數(shù)中半導(dǎo)體設(shè)備權(quán)重約68.3%,半導(dǎo)體材料權(quán)重約31.7%,實現(xiàn)了對該領(lǐng)域的"純"聚焦。

長鑫科技招股書釋放的核心信息表明,國產(chǎn)存儲龍頭的產(chǎn)能利用率已達高位,資本開支保持強勁,制程技術(shù)升級持續(xù)推進。在這一產(chǎn)業(yè)鏈傳導(dǎo)過程中,半導(dǎo)體設(shè)備材料環(huán)節(jié)位于擴產(chǎn)和技術(shù)升級的前端。對于希望把握國產(chǎn)半導(dǎo)體上游擴產(chǎn)及設(shè)備國產(chǎn)化機遇的投資者來說,半導(dǎo)體設(shè)備ETF廣發(fā)(560780)提供了一個聚焦該領(lǐng)域的投資工具。

 
 
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