據(jù)知名機構(gòu)Yole最新發(fā)布的行業(yè)報告顯示，全球DRAM內(nèi)存市場正經(jīng)歷一輪顯著的需求增長周期。以存儲容量（bit）為統(tǒng)計口徑，2026年全球DRAM需求預計將較上年提升23%，其中數(shù)據(jù)中心領域的需求增幅尤為突出，達到28%，對整體增長的貢獻率超過半數(shù)。

數(shù)據(jù)中心對DRAM產(chǎn)能的虹吸效應持續(xù)加劇。報告指出，當前數(shù)據(jù)中心已占據(jù)全球DRAM總產(chǎn)能的半壁江山，其中人工智能相關(guān)負載的消耗占比高達30%。這種結(jié)構(gòu)性需求變化迫使非數(shù)據(jù)中心領域的企業(yè)調(diào)整供應鏈策略，通過提前備貨、增加庫存等方式保障生產(chǎn)連續(xù)性，進一步推高了現(xiàn)貨市場的緊張程度。價格走勢印證了這一趨勢——參考主要廠商的業(yè)績指引，2024年第四季度內(nèi)存價格已較前三季度上漲30%。

產(chǎn)能擴張的滯后性成為制約市場供應的關(guān)鍵因素。Yole分析認為，DRAM晶圓廠從新建到量產(chǎn)通常需要2-3年周期，盡管部分廠商已啟動擴產(chǎn)計劃，但2025年全球供應量僅能實現(xiàn)小幅增長，新增產(chǎn)能大規(guī)模釋放需待2027年。這種供需時間錯配將支撐本輪行情延續(xù)至2027年，期間市場價格可能維持高位運行。