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復(fù)古與現(xiàn)代碰撞:日本愛好者打造巨型U盤,128字節(jié)磁芯存儲引關(guān)注

   時間:2026-02-02 13:21 來源:快訊作者:沈瑾瑜

一位日本科技愛好者近日完成了一項別出心裁的創(chuàng)作——將磁芯存儲器這一古老技術(shù)與現(xiàn)代電子元件結(jié)合,打造出一款造型奇特的“巨型U盤”。這款設(shè)備尺寸堪比餐盤,存儲容量卻僅有128字節(jié),甚至無法完整保存一條早期推特文本。盡管實用性幾乎為零,但其獨特的設(shè)計理念仍引發(fā)網(wǎng)友熱議。

該設(shè)備以中央的磁芯陣列板為核心,外圍集成了驅(qū)動芯片、讀出放大器、LED指示燈等現(xiàn)代元器件,USB接口功能則由樹莓派Pico單片機實現(xiàn)。據(jù)創(chuàng)作者@dyd_Nao介紹,磁芯存儲器采用微小鐵氧體磁環(huán)纏繞導(dǎo)線的方式存儲數(shù)據(jù),這種技術(shù)誕生于集成電路問世之前,曾是20世紀50年代至70年代計算機內(nèi)存的主流方案。其最大優(yōu)勢在于非易失性——斷電后數(shù)據(jù)不會丟失,但讀取操作會直接擦除原有數(shù)據(jù),需通過系統(tǒng)即時重寫才能保留信息。

磁芯存儲器的歷史可追溯至1953年,當(dāng)時麻省理工學(xué)院的旋風(fēng)計算機首次采用該技術(shù)。此后十余年間,它憑借抗輻射等特性成為軍事及航天領(lǐng)域的首選內(nèi)存方案。然而,手工編織的制造工藝導(dǎo)致成本高昂,且存儲密度遠低于半導(dǎo)體技術(shù)。1970年末,英特爾推出1103型DRAM芯片,以更低價格、更高速度和密度徹底終結(jié)了磁芯存儲器的統(tǒng)治地位。

這款“復(fù)古U盤”的創(chuàng)作初衷并非追求實用價值。創(chuàng)作者坦言,項目核心挑戰(zhàn)在于“能否實現(xiàn)”而非“是否應(yīng)該實現(xiàn)”。盡管128字節(jié)的容量連保存一段簡短文字都困難,但設(shè)備中磁芯陣列與現(xiàn)代電子元件的混搭設(shè)計仍展現(xiàn)出獨特的工業(yè)美學(xué)。有網(wǎng)友評論指出,磁芯存儲器雖抗輻射,但配套的現(xiàn)代元器件并不具備這一特性,反而削弱了其理論優(yōu)勢。

從技術(shù)演進角度看,這款設(shè)備更像是一座“活體博物館”。它通過實物形式展示了計算機存儲技術(shù)的迭代歷程:從磁芯存儲器的手工制造到集成電路的自動化生產(chǎn),從每字節(jié)高昂成本到如今TB級存儲的普及。盡管無法投入實際應(yīng)用,但這種跨越時空的技術(shù)對話,或許正是科技愛好者追求的浪漫主義。

 
 
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