臺(tái)積電前研發(fā)副總裁林本堅(jiān)近日在接受媒體采訪時(shí)提出一個(gè)引發(fā)行業(yè)關(guān)注的觀點(diǎn)：中國(guó)大陸或許能在不依賴EUV光刻機(jī)的情況下，通過現(xiàn)有浸潤(rùn)式DUV光刻機(jī)實(shí)現(xiàn)5納米芯片制造。這位被譽(yù)為“浸潤(rùn)式光刻機(jī)之父”的專家指出，浸潤(rùn)式DUV技術(shù)本身具備突破更先進(jìn)制程的潛力，其核心在于通過多重曝光等工藝優(yōu)化提升分辨率。

回溯技術(shù)發(fā)展史，林本堅(jiān)在臺(tái)積電期間主導(dǎo)研發(fā)的浸潤(rùn)式光刻技術(shù)曾改寫行業(yè)格局。當(dāng)時(shí)日本佳能、尼康等企業(yè)沉迷于干式光刻機(jī)的技術(shù)優(yōu)勢(shì)，而荷蘭ASML公司抓住機(jī)遇與臺(tái)積電展開合作。雙方共同推動(dòng)下，浸潤(rùn)式光刻機(jī)迅速實(shí)現(xiàn)商業(yè)化，助力ASML在2008年前后超越日本同行登頂行業(yè)榜首。這段合作歷程不僅奠定了ASML的龍頭地位，也讓林本堅(jiān)獲得“浸潤(rùn)式光刻機(jī)之父”的稱號(hào)。

臺(tái)積電的工藝演進(jìn)印證了這項(xiàng)技術(shù)的價(jià)值。其首代7納米工藝即采用浸潤(rùn)式DUV光刻機(jī)配合多重曝光技術(shù)，雖成本較高但驗(yàn)證了技術(shù)可行性。后續(xù)第二代7納米工藝引入EUV光刻機(jī)后，在性能與功耗方面取得顯著提升。值得注意的是，當(dāng)前臺(tái)積電與三星在2納米制程上呈現(xiàn)不同技術(shù)路徑：三星已啟用第二代EUV光刻機(jī)，而臺(tái)積電仍使用第一代設(shè)備，這種選擇背后折射出對(duì)成本控制與技術(shù)成熟度的綜合考量。

中國(guó)芯片產(chǎn)業(yè)正沿著類似路徑展開技術(shù)攻關(guān)。據(jù)行業(yè)消息，國(guó)內(nèi)企業(yè)已具備利用浸潤(rùn)式DUV光刻機(jī)生產(chǎn)接近7納米工藝芯片的能力，若突破此節(jié)點(diǎn)將成為全球第四家掌握該技術(shù)的主體。更值得關(guān)注的是，中國(guó)在刻蝕機(jī)等配套設(shè)備領(lǐng)域已取得領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)，3納米級(jí)刻蝕機(jī)的研發(fā)成功為5納米制程攻關(guān)提供了重要支撐。這種“光刻機(jī)+刻蝕機(jī)”的協(xié)同創(chuàng)新模式，正在形成具有中國(guó)特色的技術(shù)發(fā)展路徑。

市場(chǎng)層面已顯現(xiàn)技術(shù)突破的實(shí)質(zhì)影響。在手機(jī)芯片領(lǐng)域，采用國(guó)產(chǎn)7納米工藝的產(chǎn)品性能已接近國(guó)際主流水平；在AI芯片領(lǐng)域，中國(guó)企業(yè)甚至拒絕了英偉達(dá)定制版H20芯片的供貨，轉(zhuǎn)而使用自主研發(fā)的替代方案。這些進(jìn)展表明，中國(guó)芯片產(chǎn)業(yè)正在構(gòu)建從設(shè)計(jì)到制造的完整生態(tài)體系。若5納米制程實(shí)現(xiàn)突破，不僅將推動(dòng)高端芯片國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程，更為關(guān)鍵設(shè)備研發(fā)爭(zhēng)取寶貴時(shí)間窗口。

行業(yè)專家分析指出，中國(guó)芯片產(chǎn)業(yè)的崛起呈現(xiàn)“雙輪驅(qū)動(dòng)”特征：一方面通過現(xiàn)有設(shè)備深度挖掘技術(shù)潛力，另一方面在刻蝕機(jī)、光刻膠等配套領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)重點(diǎn)突破。這種發(fā)展模式既規(guī)避了高端光刻機(jī)進(jìn)口受限的制約，又通過工藝創(chuàng)新保持技術(shù)迭代速度。隨著7納米制程的逐步成熟，5納米攻關(guān)已進(jìn)入關(guān)鍵階段，其成功與否將決定中國(guó)芯片產(chǎn)業(yè)能否真正躋身全球第一梯隊(duì)。