近日，上海松江綜保區(qū)傳來一則行業(yè)突破性消息：尼西半導(dǎo)體科技（上海）有限公司成功建成全球首條35微米功率半導(dǎo)體超薄晶圓工藝及封裝測(cè)試生產(chǎn)線。這一成果標(biāo)志著我國在高端半導(dǎo)體制造領(lǐng)域邁出關(guān)鍵一步，為新能源汽車、5G基站等高功率密度應(yīng)用場(chǎng)景提供了核心技術(shù)支持。

晶圓厚度是影響功率芯片性能的關(guān)鍵參數(shù)。傳統(tǒng)工藝生產(chǎn)的晶圓厚度通常在100微米左右，而尼西半導(dǎo)體通過技術(shù)攻關(guān)將厚度壓縮至35微米。這一突破使芯片導(dǎo)通電阻降低40%，熱阻下降60%，相當(dāng)于為芯片安裝了高效散熱裝置。在封裝環(huán)節(jié)，雙面散熱設(shè)計(jì)使模塊熱阻進(jìn)一步降低30%，功率循環(huán)壽命提升至原有水平的5倍，顯著提升了器件的可靠性和能效比。

超薄晶圓加工面臨多重技術(shù)挑戰(zhàn)。當(dāng)晶圓厚度降至50微米以下時(shí)，其物理特性變得極為脆弱，類似薯片般易碎。為解決這一問題，研發(fā)團(tuán)隊(duì)與設(shè)備供應(yīng)商聯(lián)合攻關(guān)，將加工精度控制在35±1.5微米范圍內(nèi)，碎片率控制在0.1%以內(nèi)。通過化學(xué)腐蝕工藝消除92%的研磨應(yīng)力損傷，并采用定制化激光切割技術(shù)替代傳統(tǒng)刀片，使切割良率達(dá)到98.5%。這些創(chuàng)新工藝確保了超薄晶圓量產(chǎn)的可行性。

該生產(chǎn)線實(shí)現(xiàn)了全流程專用設(shè)備覆蓋，從鍵合、研磨、切割到測(cè)試環(huán)節(jié)均配備定制化裝備。其中測(cè)試環(huán)節(jié)單日產(chǎn)能可達(dá)12萬顆成品，滿足大規(guī)模商業(yè)化生產(chǎn)需求。特別值得關(guān)注的是，產(chǎn)線中的關(guān)鍵設(shè)備由企業(yè)工程師與國內(nèi)設(shè)備廠商聯(lián)合研發(fā)，通過產(chǎn)學(xué)研協(xié)同創(chuàng)新實(shí)現(xiàn)了核心裝備的自主可控，填補(bǔ)了國內(nèi)在該領(lǐng)域的技術(shù)空白。

公開資料顯示，尼西半導(dǎo)體科技（上海）有限公司成立于2007年，是美商萬國半導(dǎo)體（AOS）在華重要生產(chǎn)基地，由萬國半導(dǎo)體（香港）股份有限公司全資控股。此次技術(shù)突破不僅提升了企業(yè)競(jìng)爭(zhēng)力，更為我國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)突破國外技術(shù)封鎖、實(shí)現(xiàn)自主可控發(fā)展提供了重要范例。隨著新能源汽車、5G通信等產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展，超薄晶圓技術(shù)有望在更多高端應(yīng)用場(chǎng)景發(fā)揮關(guān)鍵作用。