阿斯麥（ASML）首席執(zhí)行官克里斯托夫·富凱近日在比利時安特衛(wèi)普的一場科技活動上透露，他與特斯拉及SpaceX創(chuàng)始人埃隆·馬斯克就TeraFab半導(dǎo)體項目進行了直接對話。富凱表示，馬斯克對打造全球規(guī)模最大的芯片制造基地之一表現(xiàn)出高度認真態(tài)度。這一項目于今年3月由馬斯克正式宣布啟動，首期投資高達200億美元，選址美國得克薩斯州，旨在整合邏輯芯片、存儲芯片生產(chǎn)與先進封裝業(yè)務(wù)。

英特爾已確認參與該項目，計劃投入其14A制程工藝技術(shù)。SpaceX向當?shù)乇O(jiān)管部門提交的申請顯示，該公司擬在得州格蘭姆斯縣建設(shè)一座耗資550億美元的半導(dǎo)體工廠，項目后續(xù)擴建總成本可能攀升至1190億美元。富凱雖未披露與馬斯克談話的具體細節(jié)，但強調(diào)此類大型項目將在未來數(shù)年內(nèi)持續(xù)擠壓半導(dǎo)體設(shè)備供應(yīng)商的產(chǎn)能。

作為全球唯一能夠提供極紫外（EUV）光刻機的企業(yè)，阿斯麥的設(shè)備是生產(chǎn)高端芯片的核心工具。任何新進入高端芯片制造領(lǐng)域的企業(yè)，包括TeraFab，均需投入數(shù)十億美元采購其設(shè)備。目前，臺積電、三星、SK海力士、美光和英特爾等全球主要芯片制造商均已向阿斯麥下單。富凱預(yù)測，搭載高數(shù)值孔徑極紫外（High NA EUV）光刻機的首批邏輯芯片將在數(shù)月內(nèi)量產(chǎn)。英特爾已于去年年底在俄勒岡州D1X工廠完成該設(shè)備的安裝與驗收測試，其0.55數(shù)值孔徑鏡頭可使單次曝光的晶體管密度達到現(xiàn)有設(shè)備的2.9倍。

在業(yè)務(wù)拓展方面，富凱證實阿斯麥正在研發(fā)第二款先進封裝設(shè)備，標志著公司正式將業(yè)務(wù)范圍從光刻領(lǐng)域向外延伸。盡管封裝業(yè)務(wù)仍處于起步階段，但他認為這一賽道將為阿斯麥開辟新的增長空間。目前，全球主流芯片廠商正通過先進封裝技術(shù)提升芯片性能，而阿斯麥的入局可能加劇該領(lǐng)域的競爭。

針對美國議員上月提出的《MATCH法案》，富凱公開表示反對。該法案擬禁止阿斯麥向中國客戶出售深紫外（DUV）光刻機，并停止提供售后維保服務(wù)。富凱指出，阿斯麥目前對華出口的浸沒式深紫外光刻機采用2015年技術(shù)，與當前頂尖水平相差八代。他警告稱，加碼出口限制將促使中國加速自主研發(fā)替代設(shè)備，并以“生存問題”作比：“如果把人丟進沙漠并切斷所有食物供應(yīng)，那人多久能自己種出菜園？”