近期，市場傳言三星電子計劃在2025年4月終止生產(chǎn)1z制程的8Gb LPDDR4存儲器，并通知客戶需在同年6月前完成最后訂單，預(yù)計最晚于10月前完成出貨。據(jù)傳，此舉是因為三星電子計劃將國內(nèi)手機LPDDR4存儲芯片訂單轉(zhuǎn)移至本土工廠，以更專注于LPDDR5及以上級別的高端產(chǎn)品。

面對這一市場傳聞，三星電子半導(dǎo)體部門在4月22日中午通過鈦媒體AGI渠道回應(yīng)稱，公司不對業(yè)界傳言進(jìn)行評論，生產(chǎn)活動正在按計劃有序進(jìn)行。

根據(jù)CFM閃存市場數(shù)據(jù)顯示，受AI服務(wù)器強勁需求的推動，2024年全球DRAM和NAND閃存銷售收入達(dá)到了創(chuàng)紀(jì)錄的1670億美元，同比大幅增長85.53%。然而，去年第四季度，全球NAND閃存市場規(guī)模卻縮減了8.5%，降至174.1億美元。預(yù)計2025年，全球存儲市場產(chǎn)值將僅實現(xiàn)2%的微增長。

在DRAM市場方面，2024年市場規(guī)模達(dá)到了970億美元，容量更是突破了2500億Gb。其中，HBM（高帶寬存儲器）的熱潮成為DRAM市場的一大亮點。CFM閃存市場預(yù)計，到2025年，隨著三星、美光、SK海力士等公司HBM4產(chǎn)品的量產(chǎn)，HBM在DRAM產(chǎn)業(yè)中的占比將接近30%，市場將達(dá)到2880億Gb當(dāng)量，并且在服務(wù)器內(nèi)存消耗方面，其應(yīng)用持續(xù)增長。

從三星電子的財報來看，2024年該公司實現(xiàn)了300.9萬億韓元（約合1.52萬億元人民幣）的收入，同比增長16%；歸母凈利潤更是飆升至33.6萬億韓元（約合1692.43億元人民幣），同比增長131%。其中，三星的內(nèi)存業(yè)務(wù)成為主要增長引擎，銷售額達(dá)到84.5萬億韓元，同比增長91%，HBM及DDR5產(chǎn)品的貢獻(xiàn)尤為顯著。

三星電子目前主要聚焦于中高端DRAM存儲和NAND閃存芯片市場。據(jù)公開報道，2025年，三星將把HBM3E的產(chǎn)能提升三倍，并將QLC SSD的市場占比目標(biāo)設(shè)定為30%，較2024年的15%有大幅提高。同時，公司計劃減少超過20%的傳統(tǒng)DRAM產(chǎn)能，轉(zhuǎn)向生產(chǎn)LPDDR5x及HBM等高端產(chǎn)品。

今年1月，HBM4內(nèi)存已經(jīng)準(zhǔn)備進(jìn)入4nm試產(chǎn)階段，待完成邏輯芯片的最終性能驗證后，三星將提供HBM4樣品進(jìn)行驗證。

三星電子表示，其強勁表現(xiàn)得益于對存儲芯片的強勁需求，特別是用于AI服務(wù)器和固態(tài)硬盤（SSD）的存儲芯片。公司表示，“HBM、DDR5等以服務(wù)器為中心的產(chǎn)品銷售擴大，同時積極應(yīng)對生成式AI服務(wù)器用高附加值產(chǎn)品的需求，使得業(yè)績較上季度大幅改善。”

里昂證券(CLSA)分析認(rèn)為，數(shù)據(jù)中心和AI開發(fā)的需求推動內(nèi)存芯片的平均價格較上一季度上漲了15%，這幫助三星最大的部門扭轉(zhuǎn)了上年同期的虧損局面。美銀預(yù)計，三星2025年的HBM3e銷售額預(yù)計將達(dá)到24億美元，占HBM總銷售額的34%。