在近日開幕的SEMICON Korea 2026半導體展會上，SK海力士向業(yè)界展示了其在先進存儲技術(shù)領(lǐng)域的最新探索成果。公司副總裁???（Lee Sunghoon）重點介紹了針對NAND閃存開發(fā)的AIP（All-in-Plug）技術(shù)，這項突破性方案有望解決3D NAND堆疊工藝中的關(guān)鍵瓶頸。

當前3D NAND制造面臨的核心挑戰(zhàn)在于層間連接工藝。傳統(tǒng)HARC（高縱橫比接觸刻蝕）技術(shù)每次僅能處理100-200層深度的垂直通道，導致廠商不得不采用多堆棧鍵合方式實現(xiàn)更高堆疊。這種復合工藝不僅推高了生產(chǎn)成本，更對生產(chǎn)效率和產(chǎn)品良率造成顯著影響。據(jù)行業(yè)數(shù)據(jù)顯示，鍵合工藝帶來的額外步驟使整體制造成本增加約15%-20%。

SK海力士推出的AIP技術(shù)通過革新蝕刻工藝，實現(xiàn)了單次300層以上的通道加工能力。這項突破將使蝕刻次數(shù)減少60%以上，直接降低設備折舊和材料消耗成本。公司技術(shù)團隊透露，該技術(shù)通過優(yōu)化等離子體分布和刻蝕氣體配比，在保持通道垂直精度的同時突破了現(xiàn)有工藝的物理極限。

目前SK海力士正加速推進AIP技術(shù)的產(chǎn)業(yè)化進程，計劃將其率先應用于下一代V11 NAND產(chǎn)品。這項技術(shù)若能如期量產(chǎn)，不僅將鞏固該公司在3D NAND市場的技術(shù)領(lǐng)先地位，更可能引發(fā)整個存儲行業(yè)的技術(shù)路線變革。業(yè)內(nèi)分析人士指出，AIP技術(shù)的成熟將促使競爭對手重新評估其技術(shù)戰(zhàn)略，加速高堆疊NAND閃存的成本下降曲線。