在最新一期的YouTube視頻中，V?t V? Studio頻道的主播Long Ngong對(duì)三星Galaxy S26和Galaxy S26+兩款手機(jī)搭載的Exynos 2600芯片進(jìn)行了極限測(cè)試。結(jié)果顯示，三星成功解決了長(zhǎng)期困擾用戶的芯片發(fā)熱降頻問(wèn)題，展現(xiàn)出顯著的溫控改進(jìn)。

為了驗(yàn)證Exynos 2600芯片的實(shí)際散熱能力，Long Ngong在約26℃的室溫環(huán)境下，將兩款手機(jī)設(shè)置為最高畫質(zhì)，連續(xù)運(yùn)行了《英雄聯(lián)盟手游》《原神》和《崩壞》三款高負(fù)載游戲。測(cè)試數(shù)據(jù)顯示，Galaxy S26基礎(chǔ)版在運(yùn)行《英雄聯(lián)盟手游》時(shí)，平均溫度僅為32℃左右，表明該芯片在應(yīng)對(duì)常規(guī)高畫質(zhì)游戲時(shí)表現(xiàn)輕松。

在更高負(fù)載的測(cè)試中，溫控表現(xiàn)依然穩(wěn)定。使用Galaxy S26+運(yùn)行《原神》超過(guò)15分鐘后，機(jī)身正面最高溫度約為38℃，背面溫度則穩(wěn)定在37℃至37.5℃之間。這一結(jié)果說(shuō)明，即使面對(duì)長(zhǎng)時(shí)間的高強(qiáng)度游戲，手機(jī)也能保持較低的溫度水平。

隨后，在運(yùn)行《崩壞》時(shí)，盡管游戲幀率偶爾出現(xiàn)波動(dòng)，但機(jī)身正面最高溫度僅達(dá)到39℃，背面最高溫度略超38℃。這一表現(xiàn)進(jìn)一步證明了Exynos 2600芯片在散熱方面的優(yōu)化效果。

Long Ngong指出，三星Galaxy S26/S26+之所以能實(shí)現(xiàn)出色的溫控表現(xiàn)，主要得益于三項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)的應(yīng)用。首先，Exynos 2600首次采用了三星2nm GAA（全環(huán)繞柵極）工藝。這種3D晶體管架構(gòu)通過(guò)垂直堆疊的納米片讓柵極完全包圍溝道，從而提升了靜電控制能力和整體能效，為芯片的穩(wěn)定運(yùn)行提供了基礎(chǔ)。

其次，該芯片應(yīng)用了FOWLP（扇出型晶圓級(jí)封裝）技術(shù)。通過(guò)晶圓級(jí)方法取代傳統(tǒng)基板，將輸入/輸出端子直接集成在硅晶圓上，打造出更薄、更高效的芯片形態(tài)，有助于減少熱量積聚。最后，Exynos 2600引入了創(chuàng)新的HPB（熱傳導(dǎo)塊）技術(shù)。該技術(shù)采用與應(yīng)用處理器（AP）直接接觸的銅基散熱器，同時(shí)將DRAM移至側(cè)面，從而將熱阻改善了高達(dá)30%，有效提升了散熱效率。