LG電子正全力投入高帶寬存儲器（HBM）領域關鍵設備的研發(fā)工作。據(jù)行業(yè)消息，該公司正在開發(fā)一款用于HBM的混合鍵合堆疊設備早期版本，這項技術對提升存儲器性能至關重要。

該項目由LG電子生產(chǎn)工程研究所（PRI）主導，于去年6月正式啟動。在研發(fā)過程中，LG電子獲得了多方支持，其中Justem公司負責開發(fā)該設備的系統(tǒng)部分。經(jīng)過數(shù)月的努力，項目團隊已成功完成內(nèi)部測試的原型alpha版本，目前正處于概念驗證階段。

混合鍵合工藝是該設備研發(fā)的核心環(huán)節(jié)。項目團隊正使用專門設計的模塊和鍵合頭進行密集測試，通過不斷優(yōu)化工藝參數(shù)，確保設備性能能夠達到預期目標。這種精細化的測試流程對于提升HBM的集成度和性能至關重要。

根據(jù)規(guī)劃，該項目預計將于2029年完成全部研發(fā)工作，目標精度設定為200納米。然而，這一精度指標與當前行業(yè)領先水平存在差距。據(jù)悉，Besi公司已實現(xiàn)商業(yè)化應用的同類設備精度達到100納米。行業(yè)分析人士指出，這種精度差異可能會影響LG電子設備在三年后面世時的市場競爭力。