據(jù)韓國科技媒體披露，三星電子在下一代高帶寬內(nèi)存HBM4的研發(fā)進程中取得關鍵突破。消息人士透露，三星為英偉達明年計劃推出的新一代AI加速器定制的HBM4產(chǎn)品，在系統(tǒng)級封裝（SiP）測試中斬獲行業(yè)最高評分，運行速度與能效表現(xiàn)均領先于其他內(nèi)存供應商。

半導體行業(yè)知情人士稱，英偉達技術團隊上周專程赴三星平澤工廠，重點核驗HBM4的SiP技術整合進度。這種封裝技術通過將GPU核心、存儲芯片、中介層及電源管理模塊等組件集成于單一封裝體，可顯著提升數(shù)據(jù)傳輸效率并降低功耗。測試數(shù)據(jù)顯示，三星方案在帶寬密度和每瓦性能等核心指標上達到行業(yè)標桿水平，為其通過英偉達質量認證增添重要籌碼。

市場分析認為，若三星能按計劃在明年上半年通過最終驗證，其HBM4供貨量或將遠超預期。有供應鏈消息指出，英偉達對三星產(chǎn)品的需求規(guī)模較內(nèi)部評估值高出30%以上，這可能為三星半導體業(yè)務帶來數(shù)十億美元的營收增長。三星平澤P4生產(chǎn)線擴建工程已進入最后階段，預計首季度可完成產(chǎn)能爬坡，二季度啟動全面量產(chǎn)。

盡管三星在技術測試中表現(xiàn)亮眼，但其主要競爭對手SK海力士仍保持先發(fā)優(yōu)勢。SK海力士已于9月完成HBM4量產(chǎn)線調(diào)試，并向英偉達交付首批付費樣品進入試產(chǎn)階段，較三星提前約三個月。不過業(yè)內(nèi)人士指出，相較于HBM3E時代兩家企業(yè)近一年的技術代差，此次HBM4的研發(fā)競賽差距已大幅收窄。

系統(tǒng)級封裝技術正成為HBM市場競爭的新焦點。該技術通過三維堆疊設計突破傳統(tǒng)封裝限制，使內(nèi)存帶寬密度提升數(shù)倍的同時，將信號傳輸延遲控制在納秒級別。英偉達等AI芯片廠商普遍認為，SiP技術將成為突破算力瓶頸的關鍵路徑，這也解釋了為何頭部企業(yè)紛紛加大在該領域的研發(fā)投入。