在人工智能技術迅猛發(fā)展的當下，存儲性能已成為制約大規(guī)模AI應用的關鍵因素之一。全球存儲巨頭SK海力士近日宣布，正與英偉達深度合作開發(fā)下一代AI存儲解決方案，旨在突破現(xiàn)有技術瓶頸，為AI運算提供更高效的數(shù)據(jù)支撐。

據(jù)SK海力士副社長Kim Cheon-sung在2025人工智能半導體未來技術會議上透露，雙方聯(lián)合研發(fā)的代號為"AI-N P"（性能型AI NAND）的次世代存儲方案，通過重構NAND與控制器的架構設計，可顯著提升數(shù)據(jù)傳輸效率。該技術作為"AIN Family"產品線的重要一環(huán)，專門針對大規(guī)模AI推演環(huán)境優(yōu)化，能夠滿足其對數(shù)據(jù)吞吐量的嚴苛要求。

技術參數(shù)顯示，首款基于PCIe Gen 6接口的產品計劃于2026年底問世，其每秒讀寫次數(shù)（IOPS）將達到2500萬次，較當前數(shù)據(jù)中心主流企業(yè)級SSD的300萬次性能提升約8至10倍。更值得關注的是，第二代產品已進入研發(fā)階段，目標是在2027年底將性能推高至1億IOPS，實現(xiàn)現(xiàn)有產品30倍以上的跨越式發(fā)展。

為構建完整的AI存儲生態(tài)，SK海力士正在同步推進三條技術路線：除性能導向的AI-N P外，還包含帶寬優(yōu)化的AI-N B和高容量的AI-N D。其中與閃迪合作的AI-N B項目取得重要進展，這種被稱為HBF（高帶寬閃存）的技術通過堆疊NAND閃存顆粒，原理類似HBM內存架構，可大幅擴展數(shù)據(jù)傳輸帶寬。據(jù)Kim Cheon-sung透露，AI-N B的Alpha版本將于2026年1月發(fā)布，2027年推出正式評估樣品。

目前，SK海力士與英偉達正針對AI-N P進行聯(lián)合概念驗證，重點優(yōu)化大規(guī)模數(shù)據(jù)吞吐時的能效比。通過針對性改進，新方案可有效降低存儲系統(tǒng)處理海量AI數(shù)據(jù)時的延遲，確保GPU算力不受存儲性能制約。這種軟硬件協(xié)同優(yōu)化的模式，為AI數(shù)據(jù)中心和端側設備提供了全新的技術路徑。