日本大日本印刷（DNP）近日宣布，在納米壓印光刻（NIL）技術(shù)領(lǐng)域取得重大突破，成功開發(fā)出線寬僅10納米的NIL圖案化模板。這一成果將支持1.4納米級(jí)邏輯半導(dǎo)體及NAND閃存芯片的制造，為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)向更小制程節(jié)點(diǎn)邁進(jìn)提供了關(guān)鍵技術(shù)支撐。

作為NIL技術(shù)領(lǐng)域的先行者，DNP在該領(lǐng)域已深耕超過二十年。此次推出的新一代模板產(chǎn)品融合了光掩模制造與晶圓加工兩大環(huán)節(jié)的工藝經(jīng)驗(yàn)，采用自對(duì)準(zhǔn)雙重圖案化（SADP）技術(shù)實(shí)現(xiàn)"套刻"工藝。通過在初始圖案上疊加薄膜沉積與蝕刻工序，該方案可使線條密度提升至原有水平的兩倍，從而在相同面積內(nèi)集成更多電路元件。

據(jù)DNP披露，其NIL技術(shù)方案在能耗方面具有顯著優(yōu)勢(shì)，僅為傳統(tǒng)光刻機(jī)曝光工藝的十分之一。這一特性在半導(dǎo)體制造追求低碳轉(zhuǎn)型的背景下顯得尤為重要。目前該公司正與多家半導(dǎo)體制造商開展深度技術(shù)對(duì)接，計(jì)劃于2027年啟動(dòng)該技術(shù)的規(guī)模化量產(chǎn)。行業(yè)觀察人士指出，NIL技術(shù)的成熟或?qū)⒏淖兏叨税雽?dǎo)體制造領(lǐng)域的競(jìng)爭(zhēng)格局，特別是在3納米以下制程節(jié)點(diǎn)的工藝選擇上提供新路徑。