SK海力士近日宣布，將在即將舉行的CES 2026展會上，以“AI技術創(chuàng)新賦能可持續(xù)未來”為主題，舉辦一場盛大的技術展覽。此次展覽將集中展示該公司專為人工智能領域優(yōu)化的下一代存儲器解決方案，涵蓋從高性能計算到邊緣設備的全場景應用。

在備受關注的高帶寬內存（HBM）領域，SK海力士將首次公開其最新研發(fā)成果——16層48GB HBM4。這款產(chǎn)品作為現(xiàn)有12層36GB HBM4的升級版本，在保持業(yè)界領先的11.7Gbps傳輸速率基礎上，通過增加堆疊層數(shù)實現(xiàn)了容量躍升。目前該產(chǎn)品正根據(jù)主要客戶的定制化需求穩(wěn)步推進研發(fā)進程，預計將進一步鞏固SK海力士在AI存儲市場的技術優(yōu)勢。

為直觀呈現(xiàn)HBM技術在AI系統(tǒng)中的核心價值，展覽現(xiàn)場將同步展示搭載12層36GB HBM3E的全球客戶AI服務器GPU模塊。這款經(jīng)過實際驗證的解決方案，已成功應用于多個超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心項目，其卓越的能效比和穩(wěn)定性獲得行業(yè)廣泛認可。通過實物展示與技術講解相結合的方式，參觀者可以深入了解HBM3E如何助力AI訓練效率提升。

針對AI服務器對功耗控制的嚴苛要求，SK海力士特別推出了低功耗內存模組SOCAMM2。該產(chǎn)品采用創(chuàng)新的電路設計架構，在保持高性能輸出的同時，將功耗降低至行業(yè)領先水平。配合專為端側AI場景優(yōu)化的LPDDR6通用存儲器，形成覆蓋云端到終端的完整AI存儲解決方案矩陣。其中LPDDR6通過深度定制的接口協(xié)議和智能功耗管理技術，可滿足智能穿戴、自動駕駛等邊緣計算場景的實時響應需求。

在NAND閃存展區(qū)，321層2Tb QLC產(chǎn)品將成為焦點。這款專為AI數(shù)據(jù)中心設計的企業(yè)級固態(tài)硬盤，通過垂直堆疊技術將單芯片容量提升至2Tb級別，在滿足海量數(shù)據(jù)存儲需求的同時，通過優(yōu)化錯誤校正算法和讀寫平衡機制，顯著提升了QLC閃存的可靠性和耐久性。該產(chǎn)品的推出，標志著AI存儲正式進入太比特時代，為大規(guī)模語言模型訓練等數(shù)據(jù)密集型應用提供了堅實基礎。