北京大學電子學院邱晨光-彭練矛團隊在非易失性存儲器領域實現(xiàn)重大技術突破，首次提出"納米柵超低功耗鐵電晶體管"創(chuàng)新架構。該成果通過《科學·進展》期刊面向全球發(fā)布，標志著我國在新型存儲器研發(fā)領域邁入國際領先行列。

研究團隊突破傳統(tǒng)鐵電存儲器設計范式，創(chuàng)新性引入納米柵極電場匯聚增強效應。通過優(yōu)化器件結構，成功將鐵電晶體管的工作電壓降至0.6V，單位面積能耗僅0.45fJ/μm，較現(xiàn)有技術降低兩個數(shù)量級。更值得關注的是，該器件物理柵長突破性縮減至1納米，創(chuàng)下國際同類器件最小尺寸紀錄。

這項突破具有雙重戰(zhàn)略價值：在基礎研究層面，驗證了亞1納米節(jié)點下鐵電存儲的可行性，為后摩爾時代芯片架構革新提供全新物理機制；在應用層面，通過與標準CMOS工藝兼容的設計，為構建高算力AI芯片和低功耗物聯(lián)網設備開辟了新路徑。研究團隊已系統(tǒng)驗證該技術對鋯鈦酸鉛、鉿基氧化物等主流鐵電材料的普適性。

知識產權布局方面，團隊圍繞核心架構申請三項中國專利（202511671105.4/202511672017.6/202511674034.3），形成覆蓋器件結構、制造工藝、系統(tǒng)集成的完整技術體系。特別針對NAND閃存和嵌入式SoC架構開發(fā)的專利組合，為打破國外技術壟斷、構建自主可控的存儲產業(yè)鏈奠定關鍵基礎。

業(yè)內專家指出，該技術通過電場調控實現(xiàn)極化翻轉的創(chuàng)新機制，有效解決了傳統(tǒng)鐵電存儲器存在的漏電、疲勞等問題。隨著原子層沉積等先進制造工藝的成熟，這項成果有望在3-5年內實現(xiàn)產業(yè)化轉化，推動我國在新型存儲器市場的占有率實現(xiàn)跨越式提升。