ASML公司首席執(zhí)行官傅恪禮近日透露，基于新一代高數(shù)值孔徑（High-NA）極紫外（EUV）光刻技術(shù)的芯片產(chǎn)品即將進(jìn)入量產(chǎn)階段。這項(xiàng)突破性技術(shù)將同時(shí)應(yīng)用于邏輯芯片和存儲(chǔ)芯片兩大領(lǐng)域，首批產(chǎn)品預(yù)計(jì)在未來(lái)幾個(gè)月內(nèi)面世。作為2納米以下先進(jìn)制程的核心設(shè)備，High-NA EUV光刻機(jī)通過(guò)提升光學(xué)系統(tǒng)分辨率，使芯片特征尺寸縮小幅度達(dá)到66%，相當(dāng)于將相機(jī)對(duì)焦精度提升至全新水平。

與傳統(tǒng)EUV設(shè)備相比，新一代光刻機(jī)在成本控制方面展現(xiàn)出顯著優(yōu)勢(shì)。傅恪禮強(qiáng)調(diào)，雖然單臺(tái)設(shè)備初期投入高昂，但隨著技術(shù)成熟和規(guī)模化應(yīng)用，單位芯片的光刻成本將逐步降低。這種設(shè)計(jì)理念特別契合AI芯片、高帶寬內(nèi)存（HBM）和動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（DRAM）等高端產(chǎn)品的制造需求，為突破先進(jìn)制程的物理極限提供了關(guān)鍵技術(shù)支撐。

全球半導(dǎo)體巨頭對(duì)這項(xiàng)新技術(shù)的態(tài)度呈現(xiàn)分化態(tài)勢(shì)。臺(tái)積電數(shù)周前公開(kāi)表示，單臺(tái)High-NA EUV光刻機(jī)造價(jià)高達(dá)4億美元，約為現(xiàn)有設(shè)備的兩倍價(jià)格，目前尚不具備大規(guī)模采購(gòu)條件。與之形成對(duì)比的是，英特爾已在美國(guó)波特蘭工廠完成兩臺(tái)設(shè)備的安裝調(diào)試，累計(jì)處理晶圓超過(guò)3萬(wàn)片，并計(jì)劃在2027至2028年實(shí)現(xiàn)14A制程的量產(chǎn)目標(biāo)。

存儲(chǔ)芯片領(lǐng)域同樣表現(xiàn)出積極態(tài)度。韓國(guó)SK海力士明確宣布將于今年首次導(dǎo)入High-NA EUV技術(shù)，用于下一代DRAM內(nèi)存的生產(chǎn)。這項(xiàng)技術(shù)突破不僅體現(xiàn)在分辨率提升上，其光學(xué)系統(tǒng)的革新使芯片制造精度達(dá)到前所未有的水平，為摩爾定律的延續(xù)開(kāi)辟了新路徑。據(jù)技術(shù)資料顯示，新設(shè)備通過(guò)優(yōu)化數(shù)值孔徑設(shè)計(jì)，在保持高良率的同時(shí)實(shí)現(xiàn)了制程節(jié)點(diǎn)的跨越式發(fā)展。

行業(yè)分析師指出，High-NA EUV技術(shù)的商業(yè)化進(jìn)程將深刻影響全球半導(dǎo)體競(jìng)爭(zhēng)格局。雖然初期設(shè)備成本高企，但其在先進(jìn)制程領(lǐng)域的不可替代性正促使頭部企業(yè)加速技術(shù)布局。隨著英特爾、SK海力士等廠商陸續(xù)完成技術(shù)導(dǎo)入，預(yù)計(jì)2025年后將迎來(lái)新一代芯片產(chǎn)品的集中爆發(fā)期，這場(chǎng)由光刻技術(shù)革新引發(fā)的產(chǎn)業(yè)變革正在重塑半導(dǎo)體行業(yè)的未來(lái)圖景。