廣東致能半導(dǎo)體近日宣布，將于2025年11月聯(lián)合國際知名8英寸晶圓廠，共同實現(xiàn)全球首個8英寸藍(lán)寶石基氮化鎵功率器件的規(guī)模化量產(chǎn)。這一突破標(biāo)志著我國在第三代半導(dǎo)體材料領(lǐng)域的技術(shù)應(yīng)用邁入新階段，為高功率電子器件的國產(chǎn)化替代提供了關(guān)鍵支撐。

據(jù)技術(shù)團隊介紹，該項目通過整合國際領(lǐng)先的制造工藝與創(chuàng)新技術(shù)平臺，在芯片尺寸優(yōu)化、生產(chǎn)成本管控、電學(xué)性能提升及制造良率等核心指標(biāo)上，均展現(xiàn)出顯著優(yōu)于傳統(tǒng)技術(shù)的綜合優(yōu)勢。藍(lán)寶石基氮化鎵材料的應(yīng)用，有效解決了傳統(tǒng)硅基器件在高頻、高壓場景下的性能瓶頸，為5G基站、新能源汽車充電模塊及工業(yè)電源等領(lǐng)域提供了更高效的解決方案。

作為國內(nèi)第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域的標(biāo)桿企業(yè)，致能半導(dǎo)體自2018年成立以來，始終聚焦氮化鎵功率器件的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化。公司構(gòu)建了從芯片設(shè)計到封裝測試的全鏈條IDM模式，產(chǎn)品矩陣覆蓋TO247、TOLL、PQFN56等主流封裝類型。其自主研發(fā)的硅基氮化鎵高功率大電壓常開平面元器件已實現(xiàn)量產(chǎn)交付，并在通信、消費電子等領(lǐng)域形成規(guī)模化應(yīng)用。

今年7月，公司CEO黎子蘭博士在瑞典國際氮化物半導(dǎo)體會議（ICNS）上，首次披露了硅基垂直GaN HEMT功率器件技術(shù)的突破性進(jìn)展。該技術(shù)通過在硅襯底上實現(xiàn)垂直GaN/AlGaN結(jié)構(gòu)生長與二維電子氣溝道構(gòu)建，成功研制出全球首款垂直型常開、常關(guān)雙模式器件。其中，常關(guān)器件的閾值電壓突破4V，技術(shù)原創(chuàng)性獲得國際學(xué)術(shù)界高度認(rèn)可，為高壓功率器件的集成化設(shè)計開辟了新路徑。

資本市場的持續(xù)加碼為技術(shù)轉(zhuǎn)化提供了強勁動力。截至目前，公司已完成從種子輪到C輪的多輪融資，投資方陣容涵蓋高榕資本、博世創(chuàng)投、深創(chuàng)投等頭部機構(gòu)。今年1月的C輪融資恰逢量產(chǎn)關(guān)鍵期，資金將主要用于擴大產(chǎn)能規(guī)模、優(yōu)化供應(yīng)鏈體系及加速新一代產(chǎn)品研發(fā)，進(jìn)一步鞏固其在氮化鎵功率器件市場的領(lǐng)先地位。