5月11日，瀾起科技H股在資本市場表現(xiàn)強(qiáng)勁，股價(jià)高開高走，截至上午10時(shí)59分，漲幅達(dá)到19.38%，報(bào)448.40港元/股。這一表現(xiàn)與全球存儲超級周期的持續(xù)強(qiáng)化密切相關(guān)，市場對存儲芯片的需求預(yù)期不斷升溫。

近期，字節(jié)跳動宣布將今年的AI基礎(chǔ)設(shè)施支出計(jì)劃增加25%，總額達(dá)到2000億元。這一消息進(jìn)一步推動了市場對存儲芯片的需求預(yù)期。高盛發(fā)布的研究報(bào)告指出，到2026年，全球DRAM市場供需缺口預(yù)計(jì)將達(dá)到4.9%，NAND Flash缺口為4.2%，而AI核心配件HBM（高帶寬內(nèi)存）的缺口更是高達(dá)5.1%，均為2011年以來的最高水平。這些數(shù)據(jù)表明，存儲芯片市場正面臨前所未有的供需緊張局面。

瀾起科技作為存儲芯片領(lǐng)域的重要參與者，近期公布的財(cái)務(wù)數(shù)據(jù)也印證了市場的樂觀預(yù)期。根據(jù)公司公告，2026年第一季度，瀾起科技實(shí)現(xiàn)營業(yè)收入14.61億元，同比增長19.5%；毛利率為69.8%，較上年同期提升9.3個(gè)百分點(diǎn)；歸屬于上市公司股東的凈利潤達(dá)到8.47億元，同比增長61.3%。公司表示，業(yè)績增長主要得益于DDR5 RCD芯片出貨量的顯著增加，以及互連類芯片新產(chǎn)品MRCD/MDB、PCIe Retimer、CKD及CXL MXC芯片收入的快速攀升。

業(yè)內(nèi)人士分析，隨著AI、大數(shù)據(jù)等技術(shù)的快速發(fā)展，全球?qū)Ω咝阅艽鎯π酒男枨髮⒊掷m(xù)增長。瀾起科技憑借其在DDR5和HBM等領(lǐng)域的技術(shù)優(yōu)勢，有望在這一輪存儲超級周期中占據(jù)有利地位。公司近期在互連類芯片領(lǐng)域的布局，也為其未來業(yè)績增長提供了新的動力。