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1納米鐵電晶體管問世!我國科研突破為AI芯片能效提升注入新動力

   時間:2026-02-25 00:10 來源:快訊作者:鐘景軒

在人工智能芯片技術(shù)領(lǐng)域,一項突破性進展引發(fā)了廣泛關(guān)注。北京大學電子學院科研團隊成功研發(fā)出全球尺寸最小、能耗最低的鐵電晶體管,相關(guān)成果已發(fā)表于國際權(quán)威期刊《科學·進展》。這項創(chuàng)新為破解AI芯片發(fā)展瓶頸提供了關(guān)鍵技術(shù)路徑,標志著我國在新型半導體器件領(lǐng)域取得重要突破。

當前AI芯片發(fā)展面臨的核心挑戰(zhàn)在于"內(nèi)存墻"效應。傳統(tǒng)計算架構(gòu)中,數(shù)據(jù)存儲與運算單元物理分離,導致數(shù)據(jù)頻繁搬運造成的能耗損失占整體功耗的60%以上。這種架構(gòu)性缺陷嚴重制約了芯片性能提升,成為制約AI算力發(fā)展的關(guān)鍵瓶頸??蒲袌F隊負責人指出,突破物理極限的器件創(chuàng)新是解決這一問題的根本途徑。

研究團隊通過原子級精度制造技術(shù),將鐵電晶體管的物理柵長壓縮至1納米極限尺度。這種納米柵極結(jié)構(gòu)在鐵電層內(nèi)部形成超強電場,使器件在0.6伏特超低電壓下即可實現(xiàn)極化狀態(tài)翻轉(zhuǎn)。相比國際同類器件,該技術(shù)將工作電壓降低至十分之一,能耗指標實現(xiàn)數(shù)量級突破,為構(gòu)建超低功耗計算系統(tǒng)奠定了器件基礎。

鐵電晶體管(FeFET)的獨特優(yōu)勢在于其"存算一體"特性。不同于傳統(tǒng)晶體管僅具備邏輯運算功能,這種新型器件能夠同時完成數(shù)據(jù)存儲與計算操作。這種特性與生物神經(jīng)網(wǎng)絡高度相似,使其成為神經(jīng)形態(tài)計算領(lǐng)域的理想器件選擇。實驗數(shù)據(jù)顯示,采用該技術(shù)的芯片在圖像識別任務中,能效比傳統(tǒng)架構(gòu)提升3個數(shù)量級。

這項突破具有雙重技術(shù)價值:在基礎研究層面,首次驗證了原子尺度鐵電器件的可行性;在應用層面,為開發(fā)新一代AI芯片提供了核心器件方案。據(jù)測算,采用該技術(shù)的數(shù)據(jù)中心服務器集群,整體能耗可降低40%,這將極大緩解當前人工智能算力增長帶來的能源壓力。

研究團隊正在推進技術(shù)迭代,計劃通過三維集成技術(shù)進一步提升器件密度。這項起源于基礎材料研究的創(chuàng)新,已引發(fā)英特爾、三星等國際半導體巨頭的關(guān)注。隨著后續(xù)研發(fā)推進,這項中國原創(chuàng)技術(shù)有望在全球AI芯片競爭中占據(jù)先機,為人工智能產(chǎn)業(yè)發(fā)展注入新動能。

 
 
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