在近期于荷蘭阿姆斯特丹舉辦的2025年OIP（開(kāi)放創(chuàng)新平臺(tái)）生態(tài)系統(tǒng)論壇歐洲場(chǎng)活動(dòng)中，臺(tái)積電分享了關(guān)于首代定制HBM內(nèi)存的技術(shù)規(guī)劃，引發(fā)行業(yè)關(guān)注。這一消息源于德媒Hardwareluxx編輯Andreas Schilling在社交平臺(tái)發(fā)布的現(xiàn)場(chǎng)圖片資料。

據(jù)臺(tái)積電透露，定制化HBM內(nèi)存的商業(yè)化落地將與HBM4E標(biāo)準(zhǔn)同步推進(jìn)，其內(nèi)部代號(hào)為C-HBM4E。這一判斷與美光首席商務(wù)官Sumit Sadana此前公開(kāi)的觀點(diǎn)不謀而合，雙方均認(rèn)為HBM4E時(shí)代將成為定制化內(nèi)存技術(shù)的關(guān)鍵轉(zhuǎn)折點(diǎn)。

針對(duì)不同市場(chǎng)需求，臺(tái)積電在HBM4時(shí)代已布局雙軌制程方案：面向主流市場(chǎng)的N12FFC+工藝與追求極致性能的N5工藝并行發(fā)展。這種差異化策略既保證了技術(shù)覆蓋的廣度，也為高端應(yīng)用預(yù)留了升級(jí)空間。

在C-HBM4E的研發(fā)中，臺(tái)積電創(chuàng)新性地將內(nèi)存控制器（MC）直接集成至基礎(chǔ)裸片（Base Die），通過(guò)N3P先進(jìn)制程實(shí)現(xiàn)這一設(shè)計(jì)突破。據(jù)技術(shù)資料顯示，該方案可使能效表現(xiàn)達(dá)到HBM3E基礎(chǔ)裸片的兩倍水平，同時(shí)將工作電壓從HBM4的0.8V進(jìn)一步降至0.75V，在降低功耗方面取得顯著進(jìn)展。

這種集成化設(shè)計(jì)不僅優(yōu)化了計(jì)算芯片的面積利用率，更通過(guò)縮短信號(hào)傳輸路徑提升了數(shù)據(jù)訪問(wèn)效率。行業(yè)分析師指出，隨著AI算力需求的持續(xù)增長(zhǎng)，此類高度定制化的內(nèi)存解決方案將成為高端計(jì)算芯片的核心競(jìng)爭(zhēng)力之一。