三星電子近日宣布，其最新一代HBM4內(nèi)存已正式進(jìn)入量產(chǎn)階段，并向全球客戶交付商用產(chǎn)品。這一舉措使三星成為全球首家實現(xiàn)HBM4商業(yè)化供應(yīng)的企業(yè)，標(biāo)志著高帶寬內(nèi)存技術(shù)邁入全新發(fā)展階段。

據(jù)官方技術(shù)資料顯示，HBM4采用第六代10nm級DRAM工藝（1c）與4nm邏輯制程的融合方案。這種跨代工藝組合使產(chǎn)品在量產(chǎn)初期即實現(xiàn)穩(wěn)定良率，同時保持行業(yè)領(lǐng)先性能指標(biāo)。三星存儲開發(fā)負(fù)責(zé)人黃相俊強(qiáng)調(diào)，該設(shè)計突破傳統(tǒng)迭代路徑，通過架構(gòu)優(yōu)化為未來性能升級預(yù)留充足空間，可靈活應(yīng)對人工智能等前沿領(lǐng)域不斷增長的計算需求。

性能參數(shù)方面，HBM4展現(xiàn)出顯著優(yōu)勢。其穩(wěn)定傳輸速率達(dá)11.7Gbps，較行業(yè)主流8Gbps標(biāo)準(zhǔn)提升46%，較前代HBM3E的9.6Gbps提高22%。在峰值性能模式下，數(shù)據(jù)傳輸速率可擴(kuò)展至13Gbps，有效緩解AI大模型訓(xùn)練中的數(shù)據(jù)吞吐瓶頸。單堆棧內(nèi)存帶寬突破3.3TB/s，是HBM3E的3.7倍，為高密度計算提供堅實支撐。

在容量擴(kuò)展方面，三星采用12層堆疊技術(shù)實現(xiàn)24GB至36GB的規(guī)格覆蓋，并計劃通過16層堆疊將容量提升至48GB。這種漸進(jìn)式擴(kuò)容策略既滿足當(dāng)前市場需求，又為未來技術(shù)演進(jìn)預(yù)留空間。針對I/O引腳數(shù)量翻倍帶來的功耗挑戰(zhàn)，研發(fā)團(tuán)隊通過低電壓TSV互連技術(shù)和電源分配網(wǎng)絡(luò)優(yōu)化，使功耗效率提升40%，熱阻增加10%，散熱性能改善30%，顯著降低數(shù)據(jù)中心運營成本。

制造保障層面，三星將依托現(xiàn)有DRAM產(chǎn)能和專用生產(chǎn)線，構(gòu)建穩(wěn)定的供應(yīng)鏈體系。市場拓展方面，公司計劃深化與全球GPU制造商及超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心的合作，重點推進(jìn)下一代ASIC芯片的聯(lián)合開發(fā)。根據(jù)業(yè)務(wù)規(guī)劃，2026年HBM系列產(chǎn)品銷售額將較2025年增長超300%，為此三星將加速擴(kuò)充HBM4產(chǎn)能，并預(yù)計在2026年下半年啟動HBM4E樣品送測，2027年按客戶定制規(guī)格交付專用HBM產(chǎn)品。

這項技術(shù)突破對數(shù)據(jù)中心領(lǐng)域具有重要價值。通過提升GPU吞吐能力并優(yōu)化總體擁有成本，HBM4將助力客戶構(gòu)建更高效的人工智能基礎(chǔ)設(shè)施。三星存儲業(yè)務(wù)負(fù)責(zé)人表示，公司將持續(xù)投入先進(jìn)制程研發(fā)，鞏固在高端內(nèi)存市場的技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)地位。