【媒體界】12月28日消息，近日，臺(tái)積電在2023年的IEDM會(huì)議上宣布了一項(xiàng)雄心勃勃的計(jì)劃，計(jì)劃提供包含1萬億個(gè)晶體管的芯片封裝路線，這一計(jì)劃與英特爾去年公布的規(guī)劃相似。

然而，這1萬億晶體管并非來自于單個(gè)芯片封裝，而是由多個(gè)3D封裝小芯片集合而成。除了這一宏偉目標(biāo)，臺(tái)積電還致力于開發(fā)單個(gè)芯片擁有2000億晶體管的技術(shù)。

為了實(shí)現(xiàn)這一宏偉目標(biāo)，臺(tái)積電再次強(qiáng)調(diào)了其正在開發(fā)的2nm級(jí)N2和N2P生產(chǎn)節(jié)點(diǎn)，以及1.4nm級(jí)A14和1nm級(jí)A10制造工藝，計(jì)劃在2030年前完成。

此外，臺(tái)積電還預(yù)測封裝技術(shù)，如CoWoS、InFO、SoIC等，將持續(xù)取得進(jìn)步，使其能夠在2030年左右構(gòu)建超過1萬億個(gè)晶體管的大規(guī)模多芯片解決方案。

臺(tái)積電還在會(huì)議上披露，他們已經(jīng)全面展開了1.4nm級(jí)工藝制程研發(fā)，并強(qiáng)調(diào)2nm級(jí)制程將按計(jì)劃于2025年開始量產(chǎn)。這一系列計(jì)劃和進(jìn)展顯示出臺(tái)積電在芯片制造領(lǐng)域的強(qiáng)大競爭實(shí)力和野心。